[17p-C5-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-C5-3] X線回折法による半極性(20-21)GaN膜の膜厚・成長条件依存性評価

^○（M1）内山星郎¹，竹内正太郎¹，荒内琢士¹，橋本健宏²，中村芳明¹，山根啓輔²，岡田成仁²，只友一行²，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，山口大院理工²)

キーワード：GaN,XRD,半極性