2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-C5-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年9月17日(水) 13:15 〜 18:45 C5 (オープンホール)

14:30 〜 14:45

[17p-C5-5] ハイドライド気相成長におけるGaNテンプレートの品質がGaN基板に与える影響

江上卓也,山本健志,稲垣卓志,板垣憲広,岡田成仁,只友一行 (山口大院理工)

キーワード:ハイドライド気相成長,窒化ガリウム