2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-C5-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年9月17日(水) 13:15 〜 18:45 C5 (オープンホール)

15:30 〜 15:45

[17p-C5-8] Ga2OをGa源としたGaN結晶成長における種基板表面状態の影響

北本啓1,卜淵1,高津啓彰1,重田真実1,隅智亮1,今出完1,吉村政志1,伊勢村雅士2,森勇介1 (阪大院工1,伊藤忠プラスチックス2)

キーワード:GaN