[17p-C6-1~10] 3.13 半導体光デバイス

[17p-C6-6] 窒素プラズマ処理によるInAs/GaSb 超格子の表面酸化抑制

^○辻幸洋¹，稲田博史¹，町長賢一¹，Sundararajan Balasekaran¹，三浦広平¹，猪口康博¹，勝山造¹，片山晴善²，木股雅章³ (住友電工¹，JAXA²，立命館大³)

キーワード：MIR,PD