2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

03.光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[17p-C6-1~10] 3.13 半導体光デバイス

2014年9月17日(水) 14:00 〜 16:45 C6 (C212)

15:45 〜 16:00

[17p-C6-7] Effect of surface pretreatments on the performance of InAs/GaSb superlattice MWIR photodiodes.

Sundararajan Balasekaran,Hiroshi Inada,Kouhei Miura,Yukihiro Tsuji,Ken-ichi Machinaga,Masaki Migita,Yasuhiro Iguchi,Tsukuru Tsukuru Katsuyama (Sumitomo Electric Industries, LTD)

キーワード:Photodiode,InAs/GaSb,MWIR, Type-II superlattice