[18a-A12-1~9] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [18a-A12-9] アモルファスIZO,IGO,IGZO薄膜の結晶化(2):IGZOの結晶化挙動とデバイス特性

^○須古彩香¹，賈軍軍¹，中村新一¹，川嶋絵美²，宇都野太²，矢野公規²，重里有三¹ (青学大理工¹，出光興産²)

キーワード：結晶化,IGZO