[18a-A17-1~13] 15.6 IV族系化合物

▲ [18a-A17-3] Evaluation of stacking faults in 4H-SiC single crystal by using KOH etching on non-polar {1-100} face and cathodoluminescence

^○姚永昭¹，石川由加里¹，菅原義弘¹，佐藤功二¹，白井嵩幸²，旦野克典²，坂元秀光²，佐藤和明²，別所毅²，ベンジャミン ディエレ³，渡辺健太郎³，関口隆史³ (ファインセラミックスセンター¹，トヨタ自動車²，物材研³)

キーワード：炭化珪素,積層欠陥,KOHエッチング