[18a-A18-1~9] 3.15 シリコンフォトニクス

△ [18a-A18-3] 表面活性化接合を用いたIII–V/SOIハイブリッド光デバイスにおけるIII–V層部分エッチングプロセスの検討

^○鈴木純一¹，林侑介¹，久能雄輝¹，姜晙炫¹，雨宮智宏²，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2 (東工大電電¹，量エレ²)

キーワード：シリコンフォトニクス,ハイブリッド集積,直接接合