[18a-A19-1~13] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[18a-A19-2] Bi 原子細線をドーパント源とするSi 結晶中のBi\deltaドーピング法：　EXAFSによるドーピング機構解明

村田晃一^1,2，新田清文³，宇留賀朋哉³，寺田靖子³，日塔光一¹，坂田修身¹，^○三木一司^1,2 (物材機構¹，筑波大院数物²，JASRI³)

キーワード：ドーピング,ナノ構造,シリコン