[18a-A19-1~13] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[18a-A19-5] Sn/Geコンタクトにおけるショットキー障壁高さのGe面方位依存性

^○鈴木陽洋¹，鄧云生¹，黒澤昌志^1,2，坂下満男¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振特別研究員²)

キーワード：Sn/Geコンタクト,ショットキー障壁高さ,Ge面方位