2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

14.半導体B(探索的材料・物性・デバイス) » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18a-A22-1~12] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年9月18日(木) 09:00 〜 12:15 A22 (E314)

11:30 〜 11:45

[18a-A22-10] Al2O3 保護膜を有するAlGaN/GaN HEMT の電流コラプス比較

水江千帆子,市川弘之,井上和孝 (住友電工伝デ研)

キーワード:GaN HEMT,Al2O3,電流コラプス