[18a-C5-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-C5-1] 低温PLを利用したInGaNにおけるIn分布の製膜条件依存性

^○鈴木雄大¹，百瀬健¹，寺本喬²，Christian Dussarrat²，藤井克司¹，杉山正和¹，霜垣幸浩¹ (東大院工¹，エアリキード²)

キーワード：InGaN,MOVPE,低温PL