[18a-C5-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-C5-9] COガスを用いたSi表面炭化により形成したSiC層の微細構造評価

^○出浦桃子¹，大野裕¹，福山博之²，米永一郎¹ (東北大金研¹，東北大多元研²)

キーワード：Si基板上SiC,Si表面炭化,TEM観察