2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス » 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[18p-A12-1~16] 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年9月18日(木) 13:15 〜 17:30 A12 (E301)

16:00 〜 16:15

[18p-A12-11] トップゲート効果を活用したa-InGaZnO TFT pHセンサ (1)

竹知和重1,田邉浩1,岩松新之輔2,矢作徹2,阿部泰2,小林誠也2 (NLTテクノロジー1,山形県工業技術センター2)

キーワード:InGaZnO,薄膜トランジスタ,pHセンサ