[18p-A12-1~16] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[18p-A12-12] トップゲート効果を活用したa-InGaZnO TFT pHセンサ (2)

^○竹知和重¹，田邉浩¹，岩松新之輔²，矢作徹²，阿部泰²，小林誠也² (NLTテクノロジー¹，山形県工業技術センター²)

キーワード：InGaZnO,薄膜トランジスタ,pHセンサ