[18p-A12-1~16] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[18p-A12-13] トップゲート効果を活用したa-InGaZnO TFT pHセンサ (3)

^○岩松新之輔¹，竹知和重²，阿部泰¹，矢作徹¹，田邉浩²，小林誠也¹ (山形県工技セ¹，NLTテクノロジー²)

キーワード：pHセンサ,a-InGaZnO