17:15 〜 17:30
△ [18p-A12-16] シリコン添加により制御された酸化インジウム薄膜トランジスタ
キーワード:SiM-Ox,InSiO,oxide TFT
一般セッション(口頭講演)
合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス » 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス
2014年9月18日(木) 13:15 〜 17:30 A12 (E301)
17:15 〜 17:30
キーワード:SiM-Ox,InSiO,oxide TFT