[18p-A17-1~12] 15.6 IV族系化合物

[18p-A17-4] 4H-SiC MOS界面窒化処理における窒素ドーピングのESR定量

^○梅田享英¹，佐藤嘉洋¹，佐久間由貴²，小杉亮治² (筑波大¹，産総研²)

キーワード：4H-SiC,MOS界面,窒素