Formation of InAs quantum dots emitting at 1.55 micron using droplet epitaxy on metamorphic InAlAs/InAs/GaAs(111)A

Neul Ha

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一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[18p-A20-7~21] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2014年9月18日(木) 15:00 〜 19:00 A20 (E312)

17:00 〜 17:15

▲ [18p-A20-14] Formation of InAs quantum dots emitting at 1.55 micron using droplet epitaxy on metamorphic InAlAs/InAs/GaAs(111)A

^〇Neul Ha^1,2，Takaaki Mano¹，Xiangming Liu¹，Takashi Kuroda^1,2，Lazutaka Mitsuishi¹，Akihiro Ohtake¹，Takeshi Noda¹，Yoshiki Sakuma¹，Kazuaki Sakoda¹ (National Institute for Materials Science (NIMS)¹，Kyushu University²)

キーワード：InAs quantum dots,droplet epitaxy