[18p-A20-7~21] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[18p-A20-16] AlAsキャップ付InAs量子ドットのフォトルミネツセンスに対するInGaAs層の影響

^○盧翔孟¹，川口晃弘¹，中河義典^1,2，熊谷直人¹，北田貴弘¹，井須俊郎¹ (徳大¹，日亜化学²)

キーワード：quantum dot, MBE, photoluminescence