[18p-A20-7~21] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[18p-A20-19] 1.3μm帯InAs/GaAs量子ドット構造へのGaP(As)層の導入

^○渡邉克之¹，影山健生²，角田雅弘²，岩本敏^1,2，荒川泰彦^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²)

キーワード：量子ドット,砒化インジウム,分子線エピタキシー