[18p-A22-1~15] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18p-A22-10] 熱処理により導入されるAlGaN/GaN界面歪による2DEG移動度の増加

^○川口剛，徳田博邦，葛原正明 (福井大院工)

キーワード：AlGaN/GaN,移動度