[18p-A22-1~15] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18p-A22-11] 層状BN剥離層を用いた銅板転写AlGaN/GaN HEMTの放熱性評価

^○廣木正伸，熊倉一英，山本秀樹 (NTT物性研)

キーワード：AlGaN/GaN HEMT,Transfer technique of semiconductor devices