[18p-A22-1~15] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18p-A22-2] InAlN/AlN/GaN HEMTにおけるデバイス特性のInAlNバリア層厚依存性(III)

^○山下良美¹，渡邊一世¹，遠藤聡^1,2，笠松章史¹，三村高志^1,2 (情報通信研究機構¹，富士通研²)

キーワード：InAlN,HEMT,MES