[18p-A22-1~15] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

△ [18p-A22-8] AlGaN/GaN HEMT破壊電圧の温度依存性に関する考察

^○（PC）児玉和樹，徳田博邦，葛原正明 (福井大)

キーワード：衝突イオン化,バンド－準位間遷移,AlGaN/GaN HEMT