BaTiO3- Bi(Mg2/3Nb1/3)O3 Epitaxial Thin-films for High-temperature Capacitors

Somu Kumaragurubaran

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[18p-A9-1~17] 6.1強誘電体薄膜，9.1誘電材料・誘電体のコードシェアセッション

2014年9月18日(木) 13:15 〜 18:30 A9 (E208)

13:45 〜 14:00

[18p-A9-2] BaTiO₃- Bi(Mg_2/3Nb_1/3)O₃ Epitaxial Thin-films for High-temperature Capacitors

^〇Somu Kumaragurubaran¹，Takahiro Nagata¹，Kenichiro Takahashi²，Sun-Gi Ri²，Yoshifumi Tsunekawa²，Setsu Suzuki²，Toyohiro Chikyow¹ (National Institute for Materials Science (NIMS)¹，COMET Inc.²)

キーワード：Relaxor ferroelectric epitaxial thinfilms,High temperature dielectric capacitors

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