[18p-C5-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-C5-3] 高キャリア濃度Siドープn型Al_0.03Ga_0.97N上のAg電極を用いた高反射電極の検討

^○河合俊介¹，飯田大輔¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名大赤﨑研究記念センター²)

キーワード：high carrier concentration Si-doped Al0.03Ga0.97N