[18p-C5-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-C5-6] III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流狭窄構造の低抵抗化

^○井野匡貴¹，南川大智¹，竹内哲也¹，上山智¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名大赤崎記念センター²)

キーワード：トンネル接合