[18p-C5-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [18p-C5-9] 変調分光法によるInGaN/GaN LEDの内部電界の観測

^○谷川智之^1,2，片山竜二^1,2，正直花奈子¹，窪谷茂幸¹，松岡隆志^1,2，本田善央³，天野浩^3,4 (東北大金研¹，JST-CREST²，名大院工³，赤﨑記念研究センター⁴)

キーワード：窒化物半導体,エレクトロリフレクタンス,InGaN