13:30 〜 13:45
[18p-C6-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」(15分)
発振波長の低い温度依存性を有するGaAs1-xBixレーザダイオードの実現
キーワード:GaAsBi,leaser,半導体
一般セッション(口頭講演)
03.光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス
2014年9月18日(木) 13:30 〜 18:00 C6 (C212)
13:30 〜 13:45
キーワード:GaAsBi,leaser,半導体