2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

03.光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[18p-C6-1~17] 3.13 半導体光デバイス

2014年9月18日(木) 13:30 〜 18:00 C6 (C212)

17:00 〜 17:15

[18p-C6-14] 多波長InAs量子ドットの高次励起準位間発光を用いた電流注入型超広帯域近赤外光源

○(M2)保田拓磨1,柴田弘1,大河内俊介2,池田直樹3,大里啓孝3,渡辺英一郎3,Richard Hogg4,尾崎信彦1 (和歌山大シス工1,NEC2,物材機構3,シェフィールド大4)

キーワード:近赤外光源,InAs量子ドット,光コヒーレンストモグラフィ