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一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.2 絶縁膜技術

[19a-A17-1~12] 13.2 絶縁膜技術

2014年9月19日(金) 09:00 〜 12:30 A17 (E308)

11:45 〜 12:00

[19a-A17-10] 低温Kr/O₂プラズマ酸化法によるSiO₂/Si構造の作製および評価

^○藤川雄太，上野智雄，岩崎好孝 (東京農工大工)

キーワード：Kr,SiO₂