[19a-A17-1~12] 13.2 絶縁膜技術

[19a-A17-7] SiO₂/Si界面の緩和エネルギーから推定した誘電率の評価

^○森谷真帆^1,3，天野裕士^2,3，小林大輔³，山本知之¹，廣瀬和之³ (早大理工¹，東京都市大²，宇宙研³)

キーワード：誘電率,緩和エネルギー,X線光電子分光法