[19a-A19-1~13] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19a-A19-6] O₂混合Arスパッタにより成膜した高耐圧SiO₂膜の電気特性評価

^○岡田竜弥，井村公彦，野口隆 (琉大工)

キーワード：ゲート絶縁膜,RFスパッタリング,薄膜トランジスタ