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一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.4 光物性・発光デバイス

[19a-A26-1~12] 14.4 光物性・発光デバイス

2014年9月19日(金) 09:00 〜 12:15 A26 (E319)

11:15 〜 11:30

[19a-A26-9] 金属強磁性体電極を持つInGaAs量子構造発光ダイオードのEL特性

^○野村譲，高山純一，木場隆之，Subagyo Agus，山村隆文，楊暁傑，末岡和久，村山明宏 (北大院情報科学)

キーワード：InGaAs