[19a-PB1-1~23] 6.2 カーボン系薄膜

[19a-PB1-18] ウェットアニールダイヤモンド(111)上ALD-Al2O3膜を用いた MOSキャパシタの電気的特性

^○上田諒浩¹，宮田大輔¹，徳田規夫^1,2,3，井村将隆⁴，小出康夫⁴，小倉政彦^2,3，山崎聡^2,3，猪熊孝夫¹ (金沢大院自然¹，産総研エネ部門²，JST，CREST³，物材機構⁴)

キーワード：ダイヤモンド,MOS構造,ウェットアニール