[19a-S1-1~13] 14.5化合物半導体，15.3III-V族エピタキシャル結晶，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

[19a-S1-3] GaAs基板の傾斜方向がInGaAs膜中緩和過程に与える影響 -X線回折その場観察-

^○小寺大介¹，佐々木拓生²，高橋正光²，神谷格¹，大下祥雄¹，小島信晃¹，山口真史¹，鈴木秀俊³ (豊田工大¹，原子力機構²，宮崎大³)

キーワード：InGaAs,X線回折,転位