[19a-S1-1~13] 14.5化合物半導体，15.3III-V族エピタキシャル結晶，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

△ [19a-S1-5] 赤外吸収層厚を増大したGaInNAsSb太陽電池のキャリア収集の改善

^○宮下直也，ナズムル アーサン，岡田至崇 (東大先端研)

キーワード：希釈窒化物半導体,太陽電池,アンチモン