[19a-S1-1~13] 14.5化合物半導体，15.3III-V族エピタキシャル結晶，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

[19a-S1-7] GaAsN中のN-H複合欠陥の熱処理に伴う濃度変化

^○出水孝志郎，池田和磨，Wang Li，Elleuch Omar，小島信晃，大下祥雄，山口真史 (豊田工大)

キーワード：GaAsN,FT-IR