2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

06.薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-A10-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2014年9月19日(金) 13:15 〜 19:00 A10 (E214)

18:00 〜 18:15

[19p-A10-19] 金属元素ドープVO2薄膜における抵抗変化係数と抵抗率の温度履歴幅の相関

宮崎憲一1,渋谷圭介2,鈴木愛美1,岩城隆雄1,和戸弘幸1,藤田淳一3,澤彰仁2 (デンソー基礎研1,産総研2,筑波大3)

キーワード:VO2,元素ドーピング,ボロメータ