[19p-A10-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19p-A10-4] Sr₂IrO₄薄膜へのキャリアドーピングによる金属絶縁体転移

^○伊藤正人^1,2，打田正輝³，小塚裕介³，高橋圭²，川﨑雅司^2,3 (東北大金研¹，理研CEMS²，東大院工³)

キーワード：Sr2IrO4,PLD,金属絶縁体転移