[19p-A15-1~12] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[19p-A15-4] P添加Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性

^○竹内大智¹，牧原克典¹，大田晃生²，池田弥央³，宮崎誠一¹ (名大院工¹，名大VBL²，広大院先端研³)

キーワード：半導体,Si量子ドット,電子放出