[19p-A16-1~18] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [19p-A16-13] 絶縁基板上におけるa-GeSn の極低温横方向固相成長(≦250℃)　－極低温Sn 溶融核による位置制御－

^○知北大典，松村亮，甲斐友樹，佐道泰造，宮尾正信 (九大シス情)

キーワード：GeSn,固相成長