[19p-A16-1~18] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [19p-A16-7] MOCVD法によるGe基板上でのGe_1-xSn_xエピタキシャル成長

^○須田耕平¹，石原聖也¹，澤本直美¹，町田英明²，石川真人²，須藤弘²，大下祥雄³，小椋厚志¹ (明治大¹，気相成長²，豊田工大³)

キーワード：GeSn,MOCVD,Epitaxial growth