[19p-A17-1~11] 13.2 絶縁膜技術

[19p-A17-11] パルスMOCVD法により作製したGeO₂薄膜を用いたゲートスタック構造の界面構造と電気的特性

^○柴山茂久^1,2，吉田鉄兵¹，加藤公彦¹，坂下満男¹，竹内和歌奈¹，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振特別研究員²)

キーワード：ゲルマニウム,GeO2,ゲートスタック