[19p-A17-1~11] 13.2 絶縁膜技術

△ [19p-A17-2] 窒素プラズマ処理を施したAl₂O₃/GaSb MOS構造の特性評価

^○（M2）後藤高寛^1,2，藤川紗千恵¹，藤代博記¹，小倉睦郎²，安田哲二²，前田辰郎^1,2 (東京理科大院¹，産総研²)

キーワード：GaSb,MOS,窒化