[19p-A19-1~15] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-A19-10] NOとF2を用いたSiケミカルドライエッチング中のF失活過程の解析(II)

^○田嶋聡美¹，林俊雄¹，石川健治¹，関根誠¹，佐々木実²，山川晃司³，堀勝¹ (名大院工¹，豊田工大²，片桐エンジニアリング³)

キーワード：Si etching,Etched product,Density functional theory