2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-A19-1~15] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年9月19日(金) 14:00 〜 18:00 A19 (E311)

14:30 〜 14:45

[19p-A19-3] Formation of Highly Pure Metallic Ruthenium Film Using Hot-wire-assisted Atomic Layer Deposition for Electrode Applications

Yuan Guangjie,Hideharu Shimizu,Takeshi Momose,Yukihiro Shimogaki (東大院工)

キーワード:Hot wire,Atomic layer deposition,electrode