[19p-A19-1~15] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-A19-9] TSVに適用可能なSiN_x膜の低温作製とその特性評価

^○武山真弓¹，佐藤勝¹，野矢厚¹，小林靖志²，中田義弘²，中村友二² (北見工大¹，富士通研²)

キーワード：SiNx バリヤ,TSV,低温成膜