[19p-A9-1~15] 6.1強誘電体薄膜，9.1誘電材料・誘電体のコードシェアセッション

△ [19p-A9-6] 斜方晶構造を持つエピタキシャルHfO₂系薄膜の作製と評価

^○清水荘雄¹，舟窪浩^1,2 (東工大元素¹，東工大総理工²)

キーワード：ハフニウム酸化物,強誘電体